सेल SHE||MX|M के E° (M+ /M) को प्राप्त कर सकते हैं आलेख (E_cell, सेल का विभव है तथा m, MX के तुन आदर्श विलयन की मोललता है)

अवधारणा:

• मानक हाइड्रोजन इलेक्ट्रोड (SHE) का उपयोग किसी अन्य इलेक्ट्रोड के साथ संदर्भ इलेक्ट्रोड के रूप में किया जाता है। मानक हाइड्रोजन इलेक्ट्रोड (SHE) के लिए मानक इलेक्ट्रोड विभव 298K तापमान पर शून्य (0) लिया जाता है।
• SHE की अर्ध-सेल अभिक्रिया को निम्न प्रकार लिखा जा सकता है

\(2{H^ + }(aq) + 2{e^ - } \to {H_2}(g)\) और \({E_{SHE}} = 0\)

• यह अर्ध-सेल अभिक्रिया आम तौर पर प्लैटिनम इलेक्ट्रोड पर होती है। अर्ध-सेल में मौजूद हाइड्रोजन गैस का दाब 1 बार होता है।

व्याख्या:

• नर्स्ट समीकरण से, मानक हाइड्रोजन इलेक्ट्रोड (SHE) के लिए हमें प्राप्त होता है

\({E_{cell}} = {E_{cell}}^0 - {{RT} \over {nF}}\ln \left( {{{{p_{{H_2}}}} \over {{{\left[ {{H^ + }} \right]}_2}\left[ {{M^ + }} \right]}}} \right)\)

\({E_{cell}} = {E_{cell}}^0 - {{RT} \over {nF}} \times 2.303\log \left( {{{{p_{{H_2}}}} \over {{{\left[ {{H^ + }} \right]}_2}\left[ {{M^ + }} \right]}}} \right)\)

\({E_{cell}} = {E_{cell}}^0 + {{RT} \over {nF}} \times 2.303\log \left( {\left[ m \right]} \right)\)

क्योंकि, \({{p_{{H_2}}}}\)=1 बार, \(\left[ {{H^ + }} \right]\)=1 M, और [M⁺]=m

• एक सरल रेखा के समीकरण (y = mx +c) के साथ समीकरण की तुलना करके, हमें अंतःखंड = \({E_{cell}}^0\) प्राप्त हुआ, Ecell बनाम (T log m) का आलेख खींचकर।

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• इस प्रकार, सेल का E°(M+/M), SHE||MX|M, (Ecell सेल विभव है और m MX के आदर्श तनु विलयन की मोललता है) Ecell बनाम (T log m) के आलेख से प्राप्त किया जा सकता है।

निष्कर्ष:-

इसलिए, सेल का E°(M+/M), SHE||MX|M, (Ecell सेल विभव है और m MX के आदर्श तनु विलयन की मोललता है) Ecell बनाम (T log m) के आलेख से प्राप्त किया जा सकता है।